參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB0873
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2SB0873
1
Transistor
2SB873
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency power amplification
For DC-DC converter
For stroboscope
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Large collector current I
C
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Parameter
Unit: mm
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
EIAJ:SC–51
TO–92L Package
5.9
±
0.2
2.54
±
0.15
0.7
±
0.1
4.9
±
0.2
8
±
0
0
+
–
1
±
0
3
0.45
+0.2
1.27
1.27
0.45
+0.2
1
3
2
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–30
–20
–7
–10
–5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*1
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
V
EB
= –5V, I
C
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –2V, I
C
= –2A
*2
I
C
= –3A, I
B
= –0.1A
*2
V
CB
= –6V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –20V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–20
–7
90
typ
120
max
–100
–100
625
–1
85
Unit
nA
nA
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE
Rank classification
Rank
P
Q
R
h
FE
90 ~ 135
120 ~ 205
180 ~ 625
*2
Pulse measurement
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB874B TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB
2SB874C TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-220AB
2SB905 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SB906 Audio Frequency Power Amplifier PNP Transistor(音頻功率放大器PNP晶體管)
2SB907 TRANSISTOR (SWITCHING, HANNER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
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參數(shù)描述
2SB0873(2SB873) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)トランジスタ － 汎用低周波増幅
2SB08730Q 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 5A TO-92L RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SB08730R 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 5A TO-92L RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SB0873P 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-51
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