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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB0789AQ |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 238K |
| 代理商： | 2SB0789AQ |
2SB0789, 2SB0789A
2
SJC00056CED
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
fT IE
Cob VCB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.4
1.2
0.4
1.0
0.8
0.2
0.6
Copper plate at the collector
is more than 1 cm2 in area,
1.7 mm in thickness
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
12
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Ta
= 25°C
18 mA
16 mA
14 mA
12 mA
10 mA
0.8 mA
0.6 mA
0.4 mA
0.2 mA
IB
= 20 mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
15
10
5
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base current I
B (mA)
Collector
current
I
C
(A
)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
25°C
Ta
= 75°C
25
°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 25°C
75
°C
25
°C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
10
100
0
200
160
120
80
40
180
140
100
60
20
VCB
= 10 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
0
50
40
30
20
10
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB799-T1MK | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB799-T2 | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB799-T1MM | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB799-T2MK | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB799MK | 700 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB0789AQL | 功能描述:TRANS PNP LF 120VCEO MINI POWER RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0789AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
| 2SB0789ARL | 功能描述:TRANS PNP LF 120VCEO MINI POWER RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0789GRL | 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 500MA MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0789Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62 |
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