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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB0621 |
| 英文描述： | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 中文描述： | 小信號(hào)裝置-小信號(hào)晶體管-一般使用低頻Amplifires |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2SB0621 |
3
Transistor
2SB0642
0
–30
–25
–20
–5
–15
–10
0
6
5
4
3
2
1
I
C=–1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Common
emitter
reverse
transfer
capacitance
C
re
(pF
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0
6
5
4
3
2
1
V
CB=–5V
f=1kHz
R
g=2k
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
Noise
figure
NF
(dB
)
0.1
0.3
1
3
10
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
V
CB=–5V
R
g=50k
Ta=25C
f=100Hz
10kHz
1kHz
Emitter current I
E
(mA)
Noise
figure
NF
(dB
)
0.1
0.3
1
3
10
1
300
100
30
10
3
V
CE=–5V
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe (S)
h
ie (k)
h
re (10
–4)
Emitter current I
E
(mA)
h
Parameter
–1
–3
–10
–30
–100
1
300
100
30
10
3
I
E=2mA
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe (S)
h
ie (k)
h
re (10
–4)
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
h
Parameter
0
150
125
100
25
75
50
1
100
10
30
3
V
CB=–10V
Ambient temperature Ta (C)
I CBO
(Ta
)
I CBO
(Ta=25
C
)
Cre — VCE
NF — IE
h Parameter — IE
h Parameter — VCE
ICBO — Ta
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB621 | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 2SB0621A | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 2SB621A | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 2SB0642 | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 2SB642 | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB0621(2SB621) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス － 小信號(hào)トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SB0621/2SB0621A(2SB621/2SB621A) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SB0621. 2SB0621A (2SB621. 2SB621A) - PNP Transistor |
| 2SB06210RA | 功能描述:TRANS PNP 25VCEO 1A TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0621A | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type |
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