參數(shù)資料
型號: 2SAR523EBTL
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: EMT3F, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 166K
代理商: 2SAR523EBTL
2/2
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.09 - Rev.A
Data Sheet
2SAR523M/2SAR523EB/2SAR523UB
Electrical characteristics curves
0
-10
-20
-30
-40
-50
0
-1-2-3-4-5
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
0
-0.4
-0.8
-0.2
-0.6
-1
VCE =2V
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
IB=250uA
IB=200uA
IB=150uA
IB=100uA
IB=50uA
IB=0uA
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
0.1
1
10
100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
Cob
Cib
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-1000
IB=500uA
IB=300uA
IB=350uA
IB=400uA
IB=450uA
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
DC
CURENT
GAIN
:h
FE
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
TRANSITION
FREQUENCY
:f
T(MHz)
Cob
(pF)
Cib
(pF)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
EMITTER CURRENT : IE (mA)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :
VCE (V)
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
Ta=25
°C
VCE=5V
VCE = 10V
Ta=25
°C
IC/IB= 10/1
Ta=125
°C
25
°C
-55
°C
IC/IB = 20/1
IC/IB =10/1
Ta=25
°C
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0
IC=0
Ta=125
°C
25
°C
-
55
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SAR542DTL 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB0621AS 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB0767Q 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SAR523MT2L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SAR523UB 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor(-50V,-0.1A)
2SAR523UBTL 功能描述:兩極晶體管 - BJT GP Amplification Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SAR523V1T2L 功能描述:兩極晶體管 - BJT BiPolar Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2