參數(shù)資料
型號(hào): 2SAR522EBTL
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 200 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: EMT3F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 166K
代理商: 2SAR522EBTL
2/2
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2010.09 - Rev.A
Data Sheet
2SAR522M / 2SAR522EB / 2SAR522UB
Electrical characteristics curves
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
VCE =2V
Ta=125
°C
25
°C
-55
°C
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
IC/IB= 10/1
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
IC/IB = 20/1
IC/IB =10/1
0
-20
-40
-60
-80
-100
0
-1-2
-3-4
-5
Ta=25
°C
IB=0.7mA
IB=0.6mA
IB=0.5mA
IB=0.4mA
IB=0.3mA
IB=0.2mA
IB=0.1mA
IB=0mA
IB=1.0mA
IB=0.9mA IB=0.8mA
10
1000
-0.1
-1
-10
-100
-1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
DC
CURENT
GAIN
:h
FE
TRANSITION
FREQUENCY
:f
T(MHz)
VCE=2V
0.1
1
10
100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB(V)
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0
IC=0
Cob
Cib
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
-1000
EMITTER CURRENT : IE (mA)
VCE = 10V
Ta=25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
COLLECTOR
CURRENT
:I
C
(mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE
(sat)
(V)
Cob
(pF)
Cib
(pF)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE :
VCE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Ta=125
°C
25
°C
-55
°C
Ta=125
°C
25
°C
-55
°C
Ta=25
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SAR522UBTL 200 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SAR522MT2L 功能描述:TRANS PNP 20V 0.2A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SAR522UB 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor(-20V,-0.2A)
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2SAR523EB 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor(-50V,-0.1A)