參數(shù)資料
型號： 2SA2169-TL
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP-FA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SA2169-TL
2SA2169 / 2SC6017
No.8275-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)100A, IE=0
(--50)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)100A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
(70)40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(650)1000
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(60)80
ns
Package Dimensions
unit : mm
2045B
2044B
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
5.0
6.5
0.85
0.7
0.6
1.5
5.5
7.0
0.8
1.6
7.5
0.5
1.2
2.3
0.5
1
23
4
2.3
VR
RB
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=3A
For PNP, the polarity is reversed.
6mA
--5.0
--3.0
--4.5
--4.0
--3.5
--2.0
--2.5
--1.0
--1.5
--0.5
5.0
3.0
4.5
4.0
3.5
2.0
2.5
1.0
1.5
0.5
0
--0.5
0
--1.0
--1.5
--2.0
IC -- VCE
--2mA
--6mA
--8mA
--10mA
IB=0
IT08961
0.5
0
1.0
1.5
2.0
0
IC -- VCE
IB=0
2mA
4mA
8mA
10mA
20mA
12mA
14mA
16mA
IT08962
2SA2169
2SC6017
--18mA
--16mA
18mA
--12mA
--4mA
--14mA
--20mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
6.5
2.3
0.5
1.5
5.5
0.8
7.0
1.2
2.5
5.0
0.85
0.5
1.2
0 to 0.2
2.3
0.6
12
4
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2183 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2200 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2205 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2205 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2205-TL 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2169-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2174G0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2174J0L 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA2179 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
2SA2180 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*