參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2040TP
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 8000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商: 2SA2040TP
2SA2040/2SC5707
No.6913-2/5
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL
VCC=25V
100
F
470
F
VBE= --5V
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
20IB1= --20IB2= IC=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
Specifications
Note*( ) : 2SA2040
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCES
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)50
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)6
V
Collector Current
IC
(--)8
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)11
A
Base Current
IB
(--)2
A
Collector Dissipation
PC
1.0
W
Tc=25
°C15
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0
(--)0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0
(--)0.1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
200
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(290)330
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(50)28
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)3.5A, IB=(--)175mA
(--230)160 (--390)240
mV
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
(--240)110 (--400)170
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
(--)0.83
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--50)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=(--)100A, RBE=∞
80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
(40)30
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(225)420
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
25
ns
Swicthing Time Test Circuit
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