參數(shù)資料
型號： 2SA2037
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-126ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SA2037
2SA2037 / 2SC5694
No.6587-2/5
VR
RB
VCC=20V
VBE= --5V
++
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
10IB1= --10IB2=IC=2A
For PNP, the polarity is reversed.
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT02345
0
1
2
3
4
5
6
7
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
--
A
IT02346
From top
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
From left
200mA
180mA
160mA
--100mA
--120mA
120mA
140mA
100mA
80mA
60mA
40mA
20mA
10mA
5mA
--80mA
--10mA
--20mA
--40mA
--60mA
--5mA
IB=0
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)40V, IE=0
(--)0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0
(--)0.1
A
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
150
300
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
(290)330
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(50)28
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
(--150)130 (--300)260
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--50)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified test circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(250)300
ns
Fall Time
tf
See specified test circuit.
15
ns
Swicthing Time Test Circuit
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