參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2037
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: DC / DC Converter Applications
中文描述: 直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
文件大小: 37K
代理商: 2SA2037
2SA2037 / 2SC5694
No.6587-2/5
VR
RB
VCC=20V
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
1%
IB1
IB2
10IB1= --10IB2=IC=2A
For PNP, the polarity is reversed.
0
0.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
0.8
1.2
1.6
2.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
0
--0.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
IC -- VCE
C
IT02345
0
1
2
3
4
5
6
7
IC -- VCE
100mA
C
IT02346
From top
--200mA
--180mA
--160mA
--140mA
From left
200mA
180mA
160mA
--100mA
--120mA
120mA
140mA
80mA
60mA
40mA
20mA
10mA
5mA
--80mA
--60mA
--10mA
--20mA
--40mA
--5mA
IB=0
IB=0
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
(--)0.1
(--)0.1
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=(--)40V, IE=0
VEB=(--)4V, IC=0
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
IC=(--)2.5A, IB=(--)125mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=
IE=(--)10
μ
A, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
μ
A
μ
A
150
300
(290)330
(50)28
(--150)130 (--300)260
(--)0.85
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
(--)1.2
(--50)60
(--)50
(--)6
30
(250)300
15
Swicthing Time Test Circuit
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PDF描述
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2SA2039-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2039-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2