參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1968
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications
中文描述： 高電壓放大器，高壓開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2SA1968
2SA1968LS
No.5183-2/3
0
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--9
--10
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.4
--1.2
IC -- VCE
IT03904
IC -- VBE(ON)
IT03906
0
0
--0.4
--0.2
--0.6
--1.0
--0.8
--2
--4
--6
--8
--10
IC -- VCE
IT03905
0
0
--4
--2
--6
--10
--8
--2
--4
--6
--8
--10
VCE= --5V
IB=0
IB=0
-14mA
-20mA
-1.0mA
--800
μ
A
--600
μ
A
--400
μ
A
--150
μ
A
--100
μ
A
--50
μ
A
--200
μ
A
--1.0
--0.1
2
3
7
5
--10
2
2
3
7
5
--0.1
2
3
7
5
--1.0
2
3
2
3
7
5
--10
7
VCE(sat) -- IC
VBE(sat) -- IC
IT03908
-1.2mA
-16mA
-18mA
--5
μ
A
--10
μ
A
--15
μ
A
--20
μ
A
-40
μ
A
-
μ
A
-5
μ
A
--25
μ
A
--30
μ
A
--35
μ
A
-
°
C
2
°
C
T0
°
C
2
3
7
5
100
10
2
3
7
5
--0.1
2
3
Collector Current, IC -- mA
7
7
5
--1.0
2
2
3
7
5
--10
hFE -- IC
IT03907
IT03909
2
3
2
3
7
5
--1.0
--0.1
--0.1
2
3
Collector Current, IC -- mA
7
5
--1.0
2
3
7
5
--10
7
2
IC / IB=5
120
°
C
25
°
C
Ta=
--40
°
C
VCE= --5V
--40
°
C
25
°
C
Ta=120
°
C
IC / IB=5
-4
°
C
T=2
°
C
2
°
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
Base-to-Emitter ON Voltage, VBE(ON) -- V
C
D
Collector Current, IC -- mA
C
S
B
S
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Transient Thermal Resistance
hFE
fT
Cob
VCE=--5V, IC=--1mA
VCE=--10V, IC=--1mA
VCB=--100V, f=1MHz
IC=--500
μ
A, IB=--100
μ
A
IC=--500
μ
A, IB=--100
μ
A
IC=--100
μ
A, IE=0
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--100
μ
A, IC=0
junction-case
20
50
6
MHz
pF
V
V
V
V
V
C / W
2.2
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
Rth(j-c)
--1
--1.5
--900
--900
--7
8.3
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PDF描述
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2SA1972,F(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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