參數(shù)資料
型號： 2SA1967
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.01 A, 900 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SA1967
2SA1967
No.5182–2/3
IB=0
–5
A
–10
A
–50
A
–100
A
–150A
–200
A
–400
A
–15
A
–20
A
–25
A
–30
A
–35
A
–40
A
–45
A
–50
A
--0.2
0
--2
--6
--8
--4
--10
IC -- VCE
100
7
5
3
2
100
7
5
3
2
--0.1
--1.0
--10
hFE -- IC
Ta=120
°C
VCE= --5V
1.0
3
5
7
10
3
5
7
2
35
7
72
--1.0
--10
35
7
22
--10
f T -- IC
VCE= --10V
10
0
6
2
1
7
8
9
5
3
4
–0
–0.4
–0.2
–0.8
–0.6
–1.4
–1.2
–1.0
IC -- VBE(ON)
VCE=–5V
25
°C
--40
°C
--1.0
--0.4
--0.6
--0.8
IB=0
--2
0
--2
--4
--6
--8
--10
IC -- VCE
--10
--4
--6
--8
23
5
2
77
2
3
5
7
2
5
7
3
2
3
--1.0
--0.1
35
7
72
2
--0.1
--1.0
35
7
2
--10
VBE(sat) -- IC
IC / IB=5
Ta=120
°C
25
°C
--40
°C
5
3
2
7
5
3
2
7
--0.1
--10
--1.0
23
5
7
7 --0.1
--1.0
23
57 --10
VCE(sat) -- IC
IC / IB=5
Ta= --40°C
120°C
25
°C
T
a=120
°C
–40
°C
25
°C
10
2
7
5
3
10
2
7
5
3
2
5
3
72
5
37
--1.0
--10
25
37--100
22
5
37
--1000
Cob -- VCB
f=1MHz
–600
A
–800
A
–1.0mA
–1.8mA
–1.6mA
–1.4mA
–1.2mA
–2.0mA
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–GHz
Collector Current, IC – mA
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Base-to-Emitter ON Voltage, VBE(ON) –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2009R 20 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2009T 20 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2009S 20 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2043TP-FA 10000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2043TP 10000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1971(TE12L,F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini
2SA1972(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SA1972(TE6,F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1972,F(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1972,T6WNLF(J 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*