參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1882U
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1.5 A, 15 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PCP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商: 2SA1882U
2SA1882/2SC4984
No.4633–3/5
5
100
10
1000
7
5
7
3
2
3
2
--0.1
--0.01
--1.0
hFE -- IC
Ta=75
°C
2SA1882
VCE= --2V
2SA1882
VCE= --2V
2SA1882
f=1MHz
ITR04978
25
°C
--25
°C
23
5
77
2
3
5
7
2
3
5
2SC4984
VCE=2V
5
3
2
7
5
3
2
7
100
10
23
5
7
2
35
7
57 --0.01
--0.1
--1.0
ITR04980
f T -- IC
5
3
2
7
10
100
23
5
7
--1.0
--10
2
35
ITR04982
Cob -- VCB
Ta=75
°C
--2
C
25
°C
5
3
2
7
5
7
5
3
2
--10
--100
23
5
7
23
5
57
72
--1.0
--0.1
--0.01
ITR04984
VCE(sat) -- IC
2SA1882
IC / IB=20
2SC4984
IC / IB=20
5
100
10
1000
7
5
7
3
2
3
2
0.1
0.01
1.0
hFE -- IC
Ta=75
°C
ITR04979
25
°C
--25
°C
23
5
77
2
3
5
7
2
3
5
2SC4984
VCE=2V
5
3
2
7
5
3
2
7
100
10
23
5
7
2
35
7
57 0.01
0.1
1.0
ITR04981
f T -- IC
2SC4984
f=1MHz
5
3
2
7
10
100
23
5
7
1.0
10
2
35
ITR04983
Cob -- VCB
Ta=75
°C
--2
C
25
°C
5
3
2
7
5
7
5
3
2
10
100
23
5
7
23
5
57
72
1.0
0.1
0.01
ITR04985
VCE(sat) -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4984-T 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4984T 1.5 A, 15 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1882-T 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1882-U 1500 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4984-U 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1884 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR SUB: P-2SA1625
2SA1887(F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 10A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA18900RL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1890GRL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1892-Y(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk