參數(shù)資料
型號： 2SA1875TP-FA
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TP-FA, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 31K
代理商： 2SA1875TP-FA
2SA1875 / 2SC4976
No.5507-2/5
Specifications
( ) : 2SA1875
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--)200
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)200
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)3
V
Collector Current
IC
(--)300
mA
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)600
mA
Base Current
IB
(--)30
mA
Collector Dissipation
PC
0.8
W
Tc=25
°C12
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)150V, IE=0
(--)0.1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)2V, IC=0
(--)1.0
A
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
60*
320*
hFE2VCE=(--)10V, IC=(--)250mA
20
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)100mA
400
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)30V, f=1MHz
(5.0)4.2
pF
Reverse Transfer Capacitance
Cre
VCB=(--)30V, f=1MHz
(4.2)3.4
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
(--)1.0
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
(--)1.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0
(--)200
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)200
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)100A, IC=0
(--)3
V
* : The 2SA1875 / 2SC4976 are classified by 50mA hFE as follows
Rank
D
E
F
hFE
60 to 120
100 to 200
160 to 320
0
--0.2
--0.4
--0.6
--1.0
--0.8
--1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
IT03431
--100
--50
0
--350
--150
--200
--250
--300
2SA1875
VCE= --10V
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
1.2
IC -- VBE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
IT03432
100
50
0
350
150
200
250
300
2SC4976
VCE=10V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1875ETP-FA 300 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4976FTP-FA 300 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4994YS-UL UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4994YS-TL UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4994YS-UR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SA1876-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1876-7101 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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