參數(shù)資料
型號: 2SA1830-E
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: FLP-3
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大小: 59K
代理商: 2SA1830-E
2SA1830/2SC4734
No.4409–2/5
r
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Pl
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B =∞
0
4
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(V
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E
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B
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I
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(
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S
)
3
.
0
(s
6
.
0s
Switching Time Test Circuit
++
50Ω
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL
VCC=150V
100μF
470μF
VBE=--5V
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
IB1
10IB1=--10IB2=IC=500mA
RL=300Ω, RB=20Ω, at IC=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
0
0.4
0.2
0.8
1.2
1.6
2.0
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
--40
--80
--120
--160
--200
--4
--8
--12
--16
--20
IC -- VCE
ITR04827
0
40
80
120
160
200
4
8
12
16
20
IC -- VCE
ITR04828
IB=0
IC -- VBE
ITR04830
0
--0.4
--0.2
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--1.8
--1.4
--1.0
--0.6
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
IC -- VBE
ITR04829
--0.2mA
--0.4mA
--0.6mA
--0.8mA
--1.0mA
--1.2mA
--1.4mA
--1.6mA
--1.8mA
--2.0mA
2SA1830
IB=0
0.2mA
0.4mA
0.6mA
0.8mA
1.0mA
1.2mA
1.4mA
1.6mA
1.8mA
2SC4734
2SA1830
VCE=--10V
2SC4734
VCE=10V
--
2
C
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
25
°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
mA
Collector
Current,
I C
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
A
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PDF描述
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2SB919-S 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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2SC2999-D HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SA1832F-GR(TPL3,F 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1832F-Y(TPL3,F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1832-GR(T5L,F,T 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1832-GR(T5L,F,T) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP SSM