參數(shù)資料
型號： 2SA1787-E
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： NMP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2SA1787-E
2SA1787/2SC4650
No.3581–4/5
A S O
10
1.0
7
5
3
2
100
7
5
3
2
3
2
10
100
25
32
3
7
57
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
2SA1787 / 2SC4650
VBE(sat) -- IC
--10
--1.0
--10
7
5
3
2
7
5
3
57
2
3
5
7
--100
23
5
7
2SA1787
IC / IB=10
ITR04714
ITR04716
ITR04718
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
0
20
40
60
80
100
120
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IC -- VBE
VBE(sat) -- IC
10
1.0
10
7
5
3
2
7
5
3
57
2
3
5
7
100
22
35
7
2SC4650
IC / IB=10
ITR04715
ITR04717
2SA1787 / 2SC4650
VCE=10V
For PNP, minus sign is omitted.
ICP=200mA
IC=100mA
10ms
1ms
DC
operation
2SA1787 / 2SC4650
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta – C
Ta=25
°C
Single pulse
For PNP, minus sign is omitted.
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4650-F 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1798R 8 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4425N 25 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SK4178-ZK-E2-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4178(1)-S27-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
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參數(shù)描述
2SA1790GCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1790JCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1791JRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1793 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
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