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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1759T100 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SA1759T100 |
2SA1759
Transistors
Rev.B
2/3
Packaging specifications and hFE
Type
2SA1759
MPT3
P
3000
T100
AH
Denotes hFE
Package
hFE
Basic
ordering unit (pieces)
Code
Marking
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
0
1
23
45
20
40
60
80
100
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
0
Fig.1 Ground emitter output characteristics (
Ι )
Ta
=25
°C
IB
=0
0.5mA
1mA
2mA
1.5mA
5mA
4.5mA 4mA
3.5mA
3mA
2.5mA
0
10
2030
4050
20
40
60
80
100
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
0
Fig.2 Ground emitter output characteristics (
ΙΙ )
IB
=0.1mA
0.2mA
0.3mA
0.4mA
0.5mA
0.6mA
0.7mA
0.8mA
0.9mA
1mA
Ta
=25
°C
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
1.4
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
0
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Ta=100
°C
25
°C
25
°C
VCE
=5V
Fig.3 Ground emitter propagation characteristis
0.5 1
2
5 10 20
50 100 200
DC
CURRENT
GAIN
:
h
EF
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Fig.4 DC current gain vs.collector current (
Ι )
Ta
=25
°C
VCE
=10V
5V
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
2
10
20
50
100
200
500
5
1000
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
EMITTER CURRENT : IE (mA)
1
Fig.8 Gain bandwidth products
vs. emitter current
Ta
=25
°C
VCE
=10V
0.5 1
2
5 10 20
50 100 200
DC
CURRENT
GAIN
:
h
EF
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Fig.5 DC current gain vs.collector current (
ΙΙ )
VCE
=10V
25
°C
Ta
=100
°C
25
°C
0.5 1
2
5 10 20
50 100 200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V
)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
0.01
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Ta
=25
°C
IC/IB
=20
10
0.05 0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20
50
2
10
20
50
100
200
500
5
1000
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(p
F)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
1
Fig.9 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IE
=0A
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:V
CE(sat)
(V
)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:V
BE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Fig.7 Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
vs. Collector current
IC
/IB
=10V
VBE(sat)
VCE(sat)
100
°C
25
°C
25
°C
25
°C
Ta
=
25
°C
Ta
=100
°C
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PDF描述 |
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| 2SA1761(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 400 LSTM Bulk |
| 2SA1761,F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SA1761,T6F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SA1761,T6F(M | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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