參數(shù)資料
型號: 2SA1705T
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: NMP, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 114K
代理商: 2SA1705T
No.3025-2/4
2SA1705/2SC4485
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
y
tx
a
m
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
)
t
a
s
(
E
C
IC
I
,
A
m
0
5
)
(
=
B
A
m
0
5
)
(
=
)
0
8
1
()
0
5
(V
m
0
2
10
0
3V
m
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV
)
t
a
s
(
E
B
IC
I
,
A
m
0
5
)
(
=
B
A
m
0
5
)
(
=9
.
0
)
(2
.
1
)
(V
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
t
u
p
t
u
OC b
o
V B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
1
)
(
=5
.
8
)
2
1
(F
p
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
μ
0
1
)
(
=
E 0
=0
6
)
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
(
=
E
B =∞
0
5
)
(V
e
g
a
t
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
μ
0
1
)
(
=
C 0
=5
)
(V
e
m
I
T
N
O
-
n
r
u
Tt N
O
t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S0
4V
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
St g
t
s
t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S
)
0
3
(s
n
0
5
3s
n
e
m
i
T
ll
a
Ftf
t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S0
3s
n
* : The 2SA1705/2SC4485 are classified by 100mA hFE as follows :
k
n
a
RR
S
T
h E
F
0
2
o
t
0
10
8
2
o
t
0
4
10
0
4
o
t
0
2
Switching Time Test Circuit
VR
RL
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
50
Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100
μF
470
μF
PW=20
μs
IB1
IB2
D.C.
≤1%
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
12
4
35
0
IC -- VCE
ITR04271
IC -- VBE
2SC4485
VCE=2V
2SC4485
--25
°C
25
°C
Ta
=
7
C
ITR04273
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
2SA1705
VCE= --2V
--1200
--200
--400
--600
--800
--1000
0
0--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
IC -- VBE
ITR04272
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--1
--2
--4
--3
--5
IC -- VCE
ITR04270
2SA1705
IB=0
--1mA
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
--12mA
IB=0
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
7mA
9mA
8mA
10mA
1200
200
400
600
800
1000
0
01.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Continued from preceding page.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1707T 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1707R 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1709-S 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1709-R 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4489R 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1705T-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1706S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1706T-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1707S-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1707T-AN 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2