參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1588-Y
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 2-2E1A, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 183K
代理商： 2SA1588-Y
2SA1588
2004-12-23
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial (PCT process)
2SA1588
Audio Frequency Low Power Amplifier Applications
Driver Stage Amplifier Applications
Switching Applications
Excellent hFE linearity: hFE (2) = 25 (min)
at VCE = 6 V, IC = 400 mA
Complementary to 2SC4118
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
35
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
500
mA
Base current
IB
50
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
55~125
°C
Electrical Characteristics (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 35 V, IE = 0
0.1
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
0.1
A
hFE (1)
VCE = 1 V, IC = 100 mA
70
400
DC current gain
(Note)
hFE (2)
VCE = 6 V, IC = 400 mA
25
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.1
0.25
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 1 V, IC = 100 mA
0.8
1.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 6 V, IC = 20 mA
200
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 6 V, IE = 0, f = 1 MHz
13
pF
Note: hFE (1) classification O(O): 70~140, Y(Y): 120~240, GR(G): 200~400 (
) Marking Symbol
hFE (2) classification O: 25 (min), Y: 40 (min), GR: 75 (min)
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC2463E 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N7002 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/S62Z 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002/L99Z 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N5668RLRP VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
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參數(shù)描述
2SA1588-Y(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP USM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors Bipolar - BJT PNP Trans -0.5A LN -30V VCEO
2SA1588-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1593S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1593S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1593T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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