參數(shù)資料
型號: 2SA1588-Y
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 332K
代理商: 2SA1588-Y
2SA1588
2007-11-01
2
相關PDF資料
PDF描述
2SA1588 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1588-O 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1588-GR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1588OTE85R 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1588YTE85R 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1588-Y(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP USM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors Bipolar - BJT PNP Trans -0.5A LN -30V VCEO
2SA1588-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1
2SA1593S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1593S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1593T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2