參數(shù)資料
型號： 2SA1586OTE85L
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： 2SA1586OTE85L
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PDF描述
2SA1586TE85R 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1586GRTE85R 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1608-T2Y12 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1608 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1608-T1Y13 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SA1586SU-GR,LF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1586SU-GR,LF(D 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:3,000
2SA1586SU-Y,LF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1586Y(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -0.15A 120 to 240 USM Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM
2SA1586-Y(T5L,F,T) 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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