- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49897 > 2SA1585STP 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1585STP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | 2SA1585STP |
2SB1424 / 2SA1585S
Transistors
Rev.A
3/3
2m
5m 0m 20m 50m 100m 200m 500m 1 2
5 10
1m
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
5k
2k
1k
500
200
100
50
20
10
5
VCE=
2V
Ta=100
°C
25
°C
40°C
Fig.4
DC current gain vs.
collector current
2
2m
5m
10m
20m
50m
100m
200m
500m
1
2m 5m 10m20m50m100m 200m500m
2
1
5 10
1m
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
IC/IB
=10
Ta
=100°C
40°C
25
°C
Fig.5
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector curren ( )
2
2m
5m
10m
20m
50m
100m
200m
500m
1
2m 5m 10m 20m 50m 100m 200m 500m
2
1
5 10
1m
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
IC/IB
=20
Ta
=100°C
40°C
25
°C
Fig.6
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current ( )
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
C
ib
(pF)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
ob
(pF)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
10
20
50
100
200
500
1000
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20
50
Ta
=25°C
f
=1MHz
IE
=0A
IC
=0A
Cib
Cob
Fig.8
Gain bandwidth product vs.
emitter current
Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
2
2m
5m
10m
20m
50m
100m
200m
500m
1
2m 5m 10m20m 50m
2
1
5 10
1m
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
100m200m500m
40°C
25
°C
Ta=100
°C
IC/IB=50
Fig.7
Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current (
)
1
2
5
10
20
50 100 200 5001000
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MHz)
EMITTER CURRENT : IE (mA)
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=25
°C
VCE=
2V
Fig.9
Emitter input capacitance vs.
emitter base voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100 | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1606-D | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1606 | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4159 | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4159-E | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1585STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1585STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1586-GR(T5L,F,T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586-GR(T5LHITF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。