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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1552-T |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1.5 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SA1552-T |
2SA1552 / 2SC4027
No.2262-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--0.2)0.13
(--0.5)0.45
V
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
60
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)1.2
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(50)80
ns
Package Dimensions
unit : mm
7518-003
7003-003
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
VR
RL
14k
100V
--5V
10IB1= --10IB2=IC=0.7A
For PNP, the polarity is reversed.
++
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F 470F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR03970
2SC4027
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--1
--2
--4
--5
--3
ITR03969
2SA1552
IB=0mA
--1mA
--2mA
--10mA
--5mA
--20mA
--40mA
--60mA
--80mA
IB=0mA
1mA
2mA
5mA
10mA
20mA
30mA
40mA
50mA
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
012
45
3
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
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PDF描述 |
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| 2SC4050KIEUL | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4050KIEUL | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4050KID01 | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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| 2SA1552T-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SA1553 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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