參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1451A
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-10R1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 149K
代理商： 2SA1451A
2SA1451A
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1451A
High-Speed, High-Current Switching Applications
Low collector saturation voltage
: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 6 A)
High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.)
Complementary to 2SC3709A
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
12
A
Base current
IB
2
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
30
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1452O 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SA1464Y14 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1468B 100 mA, 180 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1468 100 mA, 180 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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