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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1419T |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 305K |
| 代理商： | 2SA1419T |
2SA1419 / 2SC3649
No.2007-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)120V, IE=0A
(--)1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)100mA
100*
400*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)10mA
80
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
120
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(22)14
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--200)130 (--500)450
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(40)40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)1.2
μs
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(40)80
ns
*: The 2SA1419 / 2SC3649 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
INPUT
100V
50Ω
RL
100μF
470μF
--5V
IC=10IB1=--10IB2=0.7A
(For PNP, the polarity is reversed)
+
VR
PW=20μs
D.C.≤1%
RB
IB1
IB2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3649T | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1419 | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3649S | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1422 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1425-O | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1419T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1419T-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1420 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. T0-92-50V -.1A .4W ECB |
| 2SA1423 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-92 -50V -.1A .4W ECB |
| 2SA1425-O | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
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