型號(hào): | 2SA1416-T |
元件分類(lèi): | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/5頁(yè) |
文件大小: | 91K |
代理商: | 2SA1416-T |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC3646-R | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3646R | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
2SA1416-T | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3646-R | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC3646S | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA1416T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1417S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1417T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1418 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SA1418S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |