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  • 參數(shù)資料
    型號: 2SA1380-E
    廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
    元件分類: 功率晶體管
    英文描述: 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
    封裝: TO-126, 3 PIN
    文件頁數(shù): 3/5頁
    文件大小: 39K
    代理商: 2SA1380-E
    No.1425-3/5
    2SA1380/2SC3502
    --1.0
    23
    3
    57
    --10
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    5
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    7
    100
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    5
    7
    5
    2
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    5
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    2
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    --1.0
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    f=1MHz
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    °C
    25
    °C
    --25
    °C
    Ta=75°C
    25
    °C
    --25°C
    DC
    Current
    Gain,
    h
    FE
    Collector Current, IC –mA
    DC
    Current
    Gain,
    h
    FE
    Collector Current, IC –mA
    Gain-Bandwidth
    Product,
    f T
    –M
    H
    z
    Collector Current, IC –mA
    Gain-Bandwidth
    Product,
    f T
    –M
    H
    z
    Collector Current, IC –mA
    Output
    Capacitance,
    Cob
    p
    F
    Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
    Output
    Capacitance,
    Cob
    p
    F
    Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
    Re
    v
    erse
    T
    ransfer
    Capacitance,
    Cre
    p
    F
    Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
    Re
    v
    erse
    T
    ransfer
    Capacitance,
    Cre
    p
    F
    Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
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    2SA1381DSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    2SA1381ESTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    2SA1381FSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2