參數(shù)資料
型號: 2SA1256-E4
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: CP, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: 2SA1256-E4
No.1056-2/5
2SA1256
NF, PG Test Circuit
L1
to 30pF
VBE
VCE
INPUT 50
L2
L3
to 22pF
to 5pF
OUTPUT
50
to 30pF
to
22pF
0.01
F
0.01
F
L1 : 1mm plated wire 10mm 5T, tap : 2T from VBE side
L2 : 1mm plated wire 10mm 7T, tap : 1T from VCE side
L3 : 1mm enamel wire 10mm 3T
ITR03107
IC -- VCE
0
--2
--4
--6
--8
--10
0
--2
--4
--6
--8
--10
IB=0
ITR03108
IB -- VBE
--1.0
--0.6
--0.8
--0.2
--0.4
0
--20
--40
--60
--80
--100
VCE=--6V
--70A
--60A
--50A
--40A
--30
A
--20
A
--10
A
1000
100
10
ITR03109
hFE -- IC
2
3
57
3
7
25
3
5
2
--0.1
--1.0
--10
2
3
5
7
2
3
5
7
VCE=--12V
--3V
--6V
--1.0
23
3
57
--10
5
2
7
100
5
7
1000
5
3
2
ITR03110
fT -- IC
VCE=--12V
--3V
--6V
VCE=--3V
--12V
--6V
7 --1.0
23
--0.1
23
3
5
57 --10
5
2
1.0
7
10
5
3
2
7
5
3
2
ITR03111
Cre -- VCB
f=1MHz
7 --1.0
23
--0.1
23
3
5
57 --10
5
2
10
7
100
5
3
2
7
5
3
2
ITR03112
rbb' Cc -- IC
f=31.9MHz
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector-to-Base Voltage, VCB –V
Base
Current,
I B
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Reverse
Transfer
Capacitance,
Cre
p
F
Base-to-Collector
Time
Constant,r
bb
'Cc
p
s
Collector Current, IC – mA
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
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