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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1162GRTE85L |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SA1162GRTE85L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1163-GR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1163GRTE85L | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1163BLTE85L | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1163TE85R | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1163GRTE85R | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1162-GR-TE85L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1162GRTE85LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1162-GRTE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TOS2SA1162-GRTE85LF BIPOLAR SMALL-SIGNAL |
| 2SA1162GT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1162GT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Amplifier Transistors |
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