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參數資料
| 型號： | 2SA1020L-Y-T9N-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨硅外延晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 207K |
| 代理商： | 2SA1020L-Y-T9N-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SA1020
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R211-007,B
S ILICON PNP EPIT AX IAL
T RANS IS T OR
DES CRIPT ION
The UTC 2SA1020 is designed for power amplifier and power
switching applications.
FEAT URES
*Low collector saturation voltage:
V
CE(SAT)
=-0.5V(max.) (I
C
=-1A)
*High speed switching time: t
STG
=1.0
μ
s(Typ.)
*Complement to UTC 2SC2655
1
SOT-89
TO-92NL
1
*Pb-free plating product number:2SA1020L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
E
C
E
C
Normal
Lead Free Plating
2SA1020L-x-AB3-R
2SA1020L-x-T9N-B
2SA1020L-x-T9N-K
Package
3
E
B
B
Packing
2SA1020-x-AB3-R
2SA1020-x-T9N-B
2SA1020-x-T9N-K
SOT-89
TO-92NL
TO-92NL
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2SA1020L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, T9N: TO-92NL
(3) x: refer to Classification of h
FE1
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1020-O-AB3-B | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-O-AB3-K | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-O-AB3-R | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-O-T9N-B | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020-O-T9N-K | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1020N1PT | 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:PNP Epitaxial Transistor |
| 2SA1020O | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
| 2SA1020-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1020-O(F),PNP,small signal |
| 2SA1020-O(F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SA1020-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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