參數(shù)資料
型號： 2PD601ASL/DG
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： 2PD601ASL/DG
1.
Product prole
1.1 General description
NPN general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
[1]
/DG: halogen-free.
1.2 Features
I General-purpose transistors
I Two current gain selections
I AEC-Q101 qualied
I Small SMD plastic package
1.3 Applications
I General-purpose switching and amplication
1.4 Quick reference data
2PD601ARL; 2PD601ASL
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
Rev. 01 — 6 November 2008
Product data sheet
Table 1.
Product overview
Type number[1]
Package
PNP complement
NXP
JEDEC
2PD601ARL
SOT23
TO-236AB
2PB709ARL
2PD601ASL
2PB709ASL
2PD601ARL/DG
SOT23
TO-236AB
2PB709ARL/DG
2PD601ASL/DG
2PB709ASL/DG
Table 2.
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCEO
collector-emitter voltage
open base
-
50
V
IC
collector current
-
100
mA
hFE
DC current gain
VCE =10V;
IC =2mA
hFE group R
210
-
340
hFE group S
290
-
460
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SB905-O(2-7B1A) 1500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC1627A-Y 400 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2PD601ASW,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASW115 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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