參數(shù)資料
型號(hào): 2PD601AR/T4
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC, SC-59A, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商: 2PD601AR/T4
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 2002 Jun 26
2004 Feb 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PD601A series
NPN general purpose transistors;
50 V, 100 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1009-AZ 2 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA1009A-K 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA1009A-M 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA1009A-H 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA1009A-J-AZ 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
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2PD601ARW T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ARW,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601AS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor
2PD601AS T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2