參數(shù)資料
型號： 2PB1219A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2PB1219A
1999 Apr 12
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PB1219A
FEATURES
High current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 50 V)
Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package.
NPN complement: 2PD1820A.
MARKING
Note
1.
= - : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
TYPE NUMBER
MARKING CODE
(1)
D
Q
D
R
D
S
2PB1219AQ
2PB1219AR
2PB1219AS
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1
Simplified outline (SOT323; SC70)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM048
Top view
2
1
3
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Refer to SOT323; SC70 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
60
50
5
500
1
200
200
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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