參數(shù)資料
型號： 2PA1774QJT/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 44K
代理商： 2PA1774QJT/R
2001 Aug 03
4
Philips Semiconductors
Product specication
PNP general purpose transistor
2PA1774J
PACKAGE OUTLINE
UNIT
bp
cD
E
e1
HE
Lp
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
98-10-23
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.33
0.23
0.2
0.1
1.7
1.5
0.95
0.75
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.5
0.3
SOT490
SC-89
bp
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
w M
v M A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
0.8
0.6
c
X
12
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT490
相關PDF資料
PDF描述
2PA1774SJ 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2PA733K 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2PA733Q 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2PB1219ART/R 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2PA1774QM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor
2PA1774QM T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PA1774QM,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PA1774QMB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP, 40V, 0.1A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP, 40V, 0.1A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Min:-55C; Operating ;RoHS Compliant: Yes
2PA1774QMB,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 100mA PNP General Purpose Tran RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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