參數(shù)資料
型號(hào)： 2PA1774M
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： PNP general purpose transistor
中文描述： PNP通用型晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2PA1774M
2004 Feb 19
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PA1774M series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
100
5
100
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
V
CB
=
30 V; I
E
= 0
V
CB
=
30 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
4 V; I
C
= 0
V
CE
=
6 V; I
C
=
1 mA
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
2PA1774QM
2PA1774RM
2PA1774SM
collector-emitter saturation voltage
collector capacitance
transition frequency
120
180
270
100
270
390
560
200
2.2
V
CEsat
C
c
f
T
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
12 V; f = 1 MHz
V
CE
=
12 V; I
C
=
2 mA;
f = 100 MHz
mV
pF
MHz
handbook, halfpage
MDB663
IC (mA)
10
1
1
10
10
2
10
3
3
hFE
10
2
10
(1)
(2)
(3)
Fig.2 DC current gain; typical values.
V
CE
=
6 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
VBE
(mV)
1000
MDB664
400
200
600
800
IC (mA)
10
1
1
10
10
2
10
3
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
6 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
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PDF描述
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