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參數(shù)資料
| 型號： | 2PA1576 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管) |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | 2PA1576 |
1999 May 31
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
2PA1576
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SC-70 (SOT323) standard mounting conditions.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
625
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
100
5
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
E
= 0; V
CB
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
4 V
I
C
=
1 mA; V
CE
=
6 V
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
2PA1576Q
2PA1576R
2PA1576S
saturation voltage
collector capacitance
transition frequency
120
180
270
100
2.5
270
390
560
500
3.5
V
CEsat
C
c
f
T
I
C
=
50 mA; I
B
=
5 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
12 V; f = 1 MHz
I
C
=
2 mA; V
CE
=
12 V; f = 100 MHz
mV
pF
MHz
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