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參數(shù)資料
| 型號： | 2N7002/S62Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | 2N7002/S62Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002/L99Z | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 2N5668RLRP | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5668RLRF | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5668RLRE | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5668RL | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7002SPT | 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET |
| 2N7002SSPT | 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET |
| 2N7002T | 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002T T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002T,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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