參數(shù)資料
型號: 2N7000BUD74Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 45K
代理商: 2N7000BUD74Z
2N7000BU/2N7000TA
BV
DSS = 60 V
R
DS(on) = 5.0 Ω
I
D = 200 mA
60
200
110
1000
±30
400
3.2
- 55 to +150
300
312.5
--
n Fast Switching Times
n Improved Inductive Ruggedness
n Lower Input Capacitance
n Extended Safe Operating Area
n Improved High Temperature Reliability
Advanced Small Signal MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Ambient
RθJA
℃/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C=25℃)
Continuous Drain Current (T
C=100℃)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Total Power Dissipation (T
C=25℃)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8? from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
Symbol
I
DM
V
GS
I
D
P
D
T
J , TSTG
T
L
mA
V
mW
mW/℃
mA
V
DSS
V
TO-92
1.Source 2. Gate 3. Drain
Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000BUD27Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000TAJ18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000ZL1 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000RL 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000RLRM 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000CSM 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1
2N7000CSM_06 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1