參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000AMO
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： PLASTIC, SPT, TO-92 VARIANT, SC-43, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/13頁(yè)
文件大?。?/td> 263K
代理商： 2N7000AMO
2N7000
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Rev. 03 — 19 May 2000
Product specication
c
1.
Description
N-channel enhancement mode eld-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS1 technology.
Product availability:
2N7000 in SOT54 (TO-92 variant).
2.
Features
s TrenchMOS technology
s Very fast switching
s Logic level compatible.
3.
Applications
s Relay driver
s High speed line driver
s Logic level translator.
4.
Pinning information
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pinning - SOT54, simplied outline and symbol
Pin
Description
Simplied outline
Symbol
1
drain (d)
SOT54 (TO-92 variant)
N-channel MOSFET
2
gate (g)
3
source (s)
32 1
03ab40
d
g
s
03ab30
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N7000-AP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
2N7000BU 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Sm Sig RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000BU_T
2N7000CSM 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1
2N7000CSM_06 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
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