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PDF目錄351971
> 2N7000 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
型號:
2N7000
廠商:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類:
小信號晶體管
英文描述:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述:
200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝:
LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù):
3/5頁
文件大?。?/td>
232K
代理商:
2N7000
第1頁
第2頁
當前第3頁
第4頁
第5頁
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 2N7000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000BU
Advanced Small Signal MOSFET
2N7000
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
2DI75Z-100
POWER TRANSISTOR MODULE
2DI75Z-120
POWER TRANSISTOR MODULE
2N7000CSM
N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N-7000
制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2N7000 AMO
功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000,126
功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000
制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92
2N7000/D
制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts
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