參數(shù)資料
型號： 2N7000-BP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 918K
代理商： 2N7000-BP
2N7000
MCC
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000_ND26Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000D28Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000J24Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000J22Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000J59Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000BU 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Sm Sig RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000BU_T
2N7000CSM 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1
2N7000CSM_06 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號:2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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