參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6975
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
中文描述： 5 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AA
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2N6975
3-4
2N6975, 2N6976, 2N6977, 2N6978
FIGURE 7. TYPICAL INDUCTIVE SWITCHING WAVEFORMS
P
D
: ALLOWABLE DISSIPATION
P
C
: CONDUCTION DISSIPATION
FIGURE 8. MAXIMUM OPERATING FREQUENCY vs
COLLECTOR CURRENT (TYPICAL)
FIGURE 9. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS AT CONSTANT GATE CURRENT
(REFER TO APPLICATION NOTES AN7254 AND AN7260)
FIGURE 10. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
Typical Performance Curves
(Continued)
V
GE
V
CE
W
OFF
=
∫
I
C
* V
CE
dt
I
C
f
O
,
I
CE
, COLLECTOR CURRENT (A)
T
C
=
o
C
100
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/W
OFF
2N6975
V
GE
= 10V
R
G
= 50
R
L
= 300/ce
L = 50
μ
H
V
CC
= 300V
T
J
= +150
o
C
f
MAX1
= 0.05/t
D(OFF)
140
120
100
80
60
40
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100
90
2N6976
2N6977
2N6978
TIME (
μ
s)
500
375
250
125
0
10
8
6
4
0
2
I
G
(REF)
I
G
(ACT)
20
I
G
(REF)
I
G
(ACT)
80
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
V
CC
= BV
CES
GATE
EMITTER
VOLTAGE
R
L
= 100
I
G
(REF) = 0.43mA
V
GE
= 10V
V
CC
= BV
CES
0.75 BV
CES
0.50 BV
CES
0.25 BV
CES
0.75 BV
CES
0.50 BV
CES
0.25 BV
CES
V
C
,
V
G
,
20V
0V
R
GEN
= 100
1/R
G
= 1/R
GEN
+ 1/R
GE
R
GE
= 100
L = 50
μ
H
V
300V
+
R
L
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6976 5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
2N6977 5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
2N6978 5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
2N697 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N697S NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2N6977 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
2N6978 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
2N697A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N697S 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 40V 3PIN TO-5 - Bulk
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