參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6728
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2N6728
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt VCEO
* Gain of 20 at IC = 0.5 Amp
*Ptot=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL 2N6728
2N6729
2N6730
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-60
-80
-100
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-60
-80
-100
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Peak Pulse Current
ICM
-2
A
Continuous Collector Current
IC
-1
A
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
1W
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
2N6728
2N6729
2N6730
UNIT CONDITIONS.
MIN. MAX MIN. MAX MIN. MAX
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-60
-80
-100
V
IC=-0.1mA, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-60
-80
-100
V
IC=-1mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-5
V
IE=-1mA, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
-1
A
A
A
VCB=-60V, IE=0
VCB=-80V, IE=0
VCB=-100V, IE=0
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
-1
A
VEB=-5V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
-0.5
-0.35
-0.5
-0.35
-0.5
-0.35
VIC=-250mA,IB=-10mA*
IC=-250mA,IB=-25mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
-1.2
-1.2 V
IC=-250mA, VCE=-1V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
hFE
80
50
20
250
80
50
20
250
80
50
20
250
IC=-50mA, VCE=-1V*
IC=-250mA, VCE=-1V*
IC=-500mA, VCE=-1V*
Transition
Frequency
fT
50
500 50
500 MHz IC=-50mA, VCE=-10V
Collector Base
Capacitance
CCB
30
pF
VCE=-10V, f=1MHz
E-Line
TO92 Compatible
2N6728
2N6729
2N6730
3-9
C
B
E
Not Recommended for New Design
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6730 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6729 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6728 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237
2N6729 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237
2N6732 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237
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參數(shù)描述
2N6728STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6728STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6728STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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