參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6716
廠商： DIODES INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2N6716
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 100 Volt VCEO
* Gain of 20 at IC = 0.5 Amp
*Ptot=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL 2N6716
2N6717
2N6718
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
80
100
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
60
80
100
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5V
Peak Pulse Current
ICM
2A
Continuous Collector Current
IC
1A
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
1W
Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
2N6716
2N6717
2N6718
UNIT CONDITIONS.
MIN. MAX MIN. MAX MIN. MAX
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
60
80
100
V
IC=0.1mA, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
60
80
100
V
IC=1mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
555
V
IE=1mA, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
1
A
A
A
VCB=60V, IE=0
VCB=80V, IE=0
VCB=100V, IE=0
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
111
A
VEB=5V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.5
0.35
0.5
0.35
0.5
0.35
VIC=250mA, IB=10mA*
IC=250mA,IB=25mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
1.2
V
IC=250mA, VCE=1V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
hFE
80
50
20
250
80
50
20
250
80
50
20
250
IC=50mA, VCE=1V*
IC=250mA, VCE=1V*
IC=500mA, VCE=1V*
Transition
Frequency
fT
50
500 50
500 MHz IC=50mA, VCE=10V
Collector Base
Capacitance
CCB
30
pF
VCE=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
2N6716
2N6717
2N6718
3-6
C
B
E
Not Recommended for New Design
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6717 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6718 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N6718G-B-T6C-K 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2N6719LEADFREE 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237AA
2N6715LEADFREE 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6716STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6716STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6716STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6717 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6717STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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