參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6660X
廠商： SEMELAB LTD
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
中文描述： 1.1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39
封裝： METAL PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2N6660X
DOC: 7083 iss 1
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
2N6660X
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
MOS TRANSISTOR
FEATURES
Switching Regulators
Converters
Motor Drivers
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
j
T
stg
T
L
Drain – Source Voltage
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current *
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Lead Temperature (
1
/
16
” from case for 10 sec.)
@ T
CASE
= 25°C
@ T
CASE
= 100°C
@ T
CASE
= 25°C
@ T
CASE
= 100°C
60V
±40V
±1.1A
±0.8A
±3A
6.25W
2.5W
–55 to 150°C
–55 to 150°C
300°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
CASE
= 25°C unless otherwise stated)
TO–39 METAL PACKAGE
Underside View
PIN 1 – Source
PIN 2 – Gate
PIN 3 – Drain
CASE – Drain
(0.89
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
5.08 (0.200)
typ.
45
12.70
(0.500)
min.
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
dia.
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6660 N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
2N6660 TMOS SWITCHING FET TRANSISTORS
2N6660 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N6661JAN N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V,夾斷電流0.86A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
2N6661 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6661 功能描述:MOSFET 90V 4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6661_10 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
2N6661_11 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 90 V (D-S) MOSFET
2N6661-2 功能描述:MOSFET 90V 0.86A 6.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6661CSM4 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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