參數(shù)資料
型號： 2N6520
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 27K
代理商： 2N6520
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 350 Volt VCEO
* Gain of 15 at IC=-100mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-350
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-350
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Base Current
IB
-250
mA
Continuous Collector Current
IC
-500
mA
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
680
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-350
V
IC=-100A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-350
V
IC=-1mA, IB=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V(BR)EBO
-5
V
IE=-10A, IC=0
Collector Cut-Off Current
ICBO
-50
nA
VCB=-250V, IE=0
Emitter Cut-Off Current
IEBO
-50
nA
VEB=-4V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
-0.3
-0.35
-0.5
-1.0
V
IC=-10mA, IB=-1mA*
IC=-20mA, IB=-2mA*
IC=-30mA, IB=-3mA*
IC=-50mA, IB=-5mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
-0.80
-0.85
-0.90
V
IC=-10mA, IB=-1mA*
IC=-20mA, IB=-2mA*
IC=-30mA, IB=-3mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
VBE(on)
-2.0
V
IC=-100mA, VCE=-10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
20
30
20
15
200
IC=-1mA, VCE=-10V
IC=-10mA, VCE=-10V*
IC=-30mA, VCE=-10V*
IC=-50mA, VCE=-10V*
IC=-100mA, VCE=-10V*
Transition Frequency
fT
40
MHz
IC=-10mA, VCE=-20V,
f=20MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
2N6520
3-4
C
B
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6762 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
2N6765 25 A, 150 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
2N6766 30 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
2N6769 11 A, 450 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
2N6783 2.25 A, 150 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6520-AP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
2N6520BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520RL1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6520RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*