參數資料
型號： 2N6520
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數： 1/1頁
文件大?。?/td> 27K
代理商： 2N6520
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 350 Volt VCEO
* Gain of 15 at IC=-100mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-350
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-350
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Base Current
IB
-250
mA
Continuous Collector Current
IC
-500
mA
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
680
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-350
V
IC=-100A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-350
V
IC=-1mA, IB=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V(BR)EBO
-5
V
IE=-10A, IC=0
Collector Cut-Off Current
ICBO
-50
nA
VCB=-250V, IE=0
Emitter Cut-Off Current
IEBO
-50
nA
VEB=-4V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
-0.3
-0.35
-0.5
-1.0
V
IC=-10mA, IB=-1mA*
IC=-20mA, IB=-2mA*
IC=-30mA, IB=-3mA*
IC=-50mA, IB=-5mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
-0.80
-0.85
-0.90
V
IC=-10mA, IB=-1mA*
IC=-20mA, IB=-2mA*
IC=-30mA, IB=-3mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
VBE(on)
-2.0
V
IC=-100mA, VCE=-10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
20
30
20
15
200
IC=-1mA, VCE=-10V
IC=-10mA, VCE=-10V*
IC=-30mA, VCE=-10V*
IC=-50mA, VCE=-10V*
IC=-100mA, VCE=-10V*
Transition Frequency
fT
40
MHz
IC=-10mA, VCE=-20V,
f=20MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
2N6520
3-4
C
B
E
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