參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6514
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-3
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 300V五（巴西）總裁| 7A條一（c）|至3
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 11K
代理商： 2N6514
2
1
3
2.41 (0.095)
(0.030)
min.
0.127 (0.005)
(0.296)
0
(
m
3.175 (0.125)
Max.
0.50 (0.020)
max.
0.76
2.41 (0.095)
0.127 (0.005)
(0.286)
7.26
16 PLCS
0.50(0.020)
0.127 (0.005)
2N4912XSMD05
Bipolar NPN Device.
V
CEO
= 80V
I
C
= 4A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
80
V
I
C(CONT)
4
A
h
FE
@ 1/0.5 (V
CE
/ I
C
)
20
175
-
f
t
3M
Hz
P
D
15
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk
.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
15-Aug-02
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed
Ceramic Surface Mount
Package for High
Reliability Applications
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
PINOUTS
1 – Base
2 – Collector
3 – Emitter
SMD0.5 (TO276AA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4910X NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE
2N4910X NPN Epitaxial Transistor（TO-66 Hermetic Package）(NPN 外延晶體管（TO-66氣密封裝）)
2N4912X NPN Epitaxial Transistor（TO-66 Hermetic Package）(NPN 外延晶體管（TO-66氣密封裝）)
2N4911X NPN Epitaxial Transistor（TO-66 Hermetic Package）(NPN 外延晶體管（TO-66氣密封裝）)
2N4911X NPN EPITAXIAL POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6515/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Voltage Transistors
2N6515_11 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:High Voltage Transistor 625mW
2N6515BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6515RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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