參數(shù)資料
型號: 2N6477-6255
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 325K
代理商: 2N6477-6255
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6478-6264 2.5 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6478-6258 2.5 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6477-6226 2.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6477-6203 2.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6477-DR6259 2.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6478 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6483 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 500UA I(DSS) | TO-71
2N6484 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:N-CHANNEL JFET
2N6485 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 500UA I(DSS) | TO-71
2N6486 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2