參數(shù)資料
型號： 2N6427
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Darlington transistor
中文描述： 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2N6427
1997 Jul 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN Darlington transistor
2N6427
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
V
BE
= 0
open collector
65
65
40
30
10
500
800
200
625
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient note 1
200
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 150
°
C
V
BE
= 0; I
B
= 0; V
CE
= 30 V
I
C
= 0; V
EB
= 10 V
V
CE
= 5 V; note 1
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 0.5 mA; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 0.5 mA; note 1
I
C
= 500 mA; I
B
= 0.5 mA; note 1
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz 125
100
10
100
100
nA
μ
A
nA
nA
I
CES
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
10000
20000
14000
100000
200000
140000
1.2
1.5
2
1.75
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
V
V
V
V
MHz
V
BEsat
V
BEon
f
T
base-emitter saturation voltage
base-emitter on-state voltage
transition frequency
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