參數(shù)資料
型號： 2N6399
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
中文描述： 12 A, 800 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 112K
代理商： 2N6399
3
Motorola Thyristor Device Data
FIGURE 3 — ON–STATE CHARACTERISTICS
FIGURE 4 — MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
FIGURE 5 — THERMAL RESPONSE
1.0
0.7
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
100
0.2
0.3
0.5
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
1.2
vTH, INSTANTANEOUS ON–STATE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
Z
θ
JC(t) = R
θ
JC
r(t)
1.0
60
SURGE IS PRECEDED AND
FOLLOWED BY RATED CURRENT
TJ = 125
°
C
f = 60 Hz
NUMBER OF CYCLES
70
80
90
100
20
2.0
3.0
4.0
6.0
8.0
10
0.1
0.4
0.01
t, TIME (ms)
3.0
5.0
50
0.2
0.3
0.5
0.7
7.0
5.0
1.0
2.0
10
50
3.0
20
30
70
2.8
4.4
3.6
5.2
6.0
2.0
30
50
100
200 300
500
2.0 k
10
3.0 k
5.0 k
10 k
1.0 k
I
T
r
(
T
i
,
TJ = 25
°
C
125
°
C
1 CYCLE
55
65
75
85
95
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6399 12 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(12A（均方根值），800V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6400 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），50V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6401 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），100V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6402 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），200V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6403 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），400V硅控整流器反向截止晶閘管)
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參數(shù)描述
2N6399G 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6399G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCR Thyristor
2N6399TG 功能描述:SCR 12A 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6400 功能描述:SCR 50V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6400/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers
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