參數(shù)資料
型號： 2N6398
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
中文描述： 12 A, 600 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： 2N6398
2
Motorola Thyristor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
*Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current
(VAK = Rated VDRM or VRRM, Gate Open)
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
IDRM, IRRM
—
—
—
—
10
2
μ
A
mA
*Forward “On” Voltage
(ITM = 24 A Peak)
VTM
—
1.7
2.2
Volts
*Gate Trigger Current (Continuous dc)
(VD = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
IGT
—
5
30
mA
*Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(VD = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
(VD = Rated VDRM, RL = 100 Ohms, TJ = 125
°
C)
VGT
VGD
—
0.2
0.7
—
1.5
—
Volts
*Holding Current
(VD = 12 Vdc, Gate Open)
IH
—
6
40
mA
Turn-On Time
(ITM = 12 A, IGT = 40 mAdc, VD = Rated VDRM)
tgt
—
1
2
μ
s
Turn-Off Time (VD = Rated VDRM)
(ITM = 12 A, IR = 12 A)
(ITM = 12 A, IR = 12 A, TJ = 125
°
C)
tq
—
—
15
35
—
—
μ
s
Critical Rate–of–Rise of Off-State Voltage Exponential
(VD = Rated VDRM, TJ = 125
°
C)
dv/dt
—
50
—
V/
μ
s
*Indicates JEDEC Registered Data.
C
T
°
6.0
120
90
100
110
130
60
°
α
= 30
°
0
1.0
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
FIGURE 1 — CURRENT DERATING
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
α
90
°
P
(
12
0
4.0
8.0
20
TJ
≈
125
°
C
FIGURE 2 — MAXIMUM ON-STATE POWER DISSIPATION
IT(AV), AVERAGE ON-STATE CURRENT (AMPS)
7.0
0
1.0
2.0
3.0
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
α
4.0
5.0
7.0
180
°
dc
10
2.0
6.0
18
14
16
4.0
5.0
6.0
60
°
α
= 30
°
90
°
180
°
dc
125
95
105
115
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6399 SCRs 12 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS
2N6399 12 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(12A（均方根值），800V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6400 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），50V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6401 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），100V硅控整流器反向截止晶閘管)
2N6402 16 Ampere RMS Reverse Blocking Thyristor(16A（均方根值），200V硅控整流器反向截止晶閘管)
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參數(shù)描述
2N6399 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6399G 功能描述:SCR 800V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6399G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SCR Thyristor
2N6399TG 功能描述:SCR 12A 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6400 功能描述:SCR 50V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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